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        PVD真空鍍膜機鍍合金膜的濺射沉積有哪些方法

        2020-07-14

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               有時候經常碰到一些客戶會咨詢PVD真空鍍膜機鍍合金膜的濺射沉積方面的知識,聊得最多的還是PVD真空鍍膜機鍍合金膜的濺射沉積方法,這也是客戶最關注、最在意的話題,下面為大家詳細介紹一下:


        pvd真空鍍膜機



               一般說來,在放電穩定狀態下,按照靶的成分,各種構成原子分別受到濺射作用,濺射鍍膜比真空蒸鍍和離子鍍的一個優越之處在于,膜層的組分和靶的組分差別較小,而且鍍層組分穩定。不過,在有些情況下,由于不同組成元素的選擇濺射現象、膜層的反濺射率以及附著力不同,會引起膜層和靶的成分有較大的差別。使用這種合金靶,為了制取確定組分的膜,除了根據實驗配制特定配比的靶并盡量降低靶的溫度之外,還要盡可以降低基片溫度以便減少附著率的差別,并選擇合適的工藝條件盡量減少對膜層的反濺射作用。
               在有些情況下,不易制備大面積的均勻合金靶、化合物靶,這時可以采用由單元素組成的復合鑲嵌靶,易于控制膜的成分,重復性也好。從原理上講,不僅二元合金,三元、四元等合金膜都可以用這種方法制取。使基片在兩個以上靶的上方轉動,控制每種膜的沉積厚度為一個或幾個原子層,輪翻沉積,這樣就能制取化合物膜。例如,有人使用InSb和GaSb靶,制得了In1-xGaxSb單晶膜。雖然這種裝置復雜一些,但是通過控制基片的轉動速度和改變各個靶上所加的電壓,可以得到任意組分的膜;按照鍍膜的時間,控制這些參數,可以在膜厚的方向上任意改變膜的組分,而且能獲得超晶格結構。
               當要求合金膜各成分之間相差很大時,一般要采用輔助陰極法。主陰極靶由合金的主要成分制成,輔助陰極靶由合金的添加成分制成。對各個靶同時進行濺射,以形成合金膜。通過調節輔助陰極靶的電流,可以任意改變合金膜中添加成分的數量。
         
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