磁控濺射鍍膜機分為兩種類型，一種是中頻磁控濺射鍍膜設備，一種是直流磁控濺射鍍膜設備，中頻磁控濺射鍍膜技術已漸漸成為濺射鍍膜的主流技術，它優于直流磁控濺射鍍膜的特點是克服了陽極消失現象，減弱或消除靶的異?；」夥烹?。直流磁控濺射專用鍍膜設備應用于手提電腦、手機殼、電話、無線通訊、視聽電子、遙控器、導航和醫用工具等，全自動控制，配置大功率磁控電源、雙靶交替使用，恒流輸出。獨特的工件架合理設計、公自傳、產量大、良品率高、利用石英晶振膜厚儀測量膜層厚度、可鍍制精確的膜層厚度。這兩種類型的磁控濺射鍍膜機市場應用都是非常廣泛的，下面為大家詳細介紹一下它們的原理。
磁控濺射鍍膜技術是利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氬氣產生離子的概率。所產生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結合力強。平衡靶源多用于半導體光學膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。
磁控陰極按照磁場位形分布不同，大致可分為平衡態和非平衡磁控陰極。平衡態磁控陰極內外磁鋼的磁通量大致相等，兩極磁力線閉合于靶面，很好地將電子等離子體約束在靶面附近，增加碰撞幾率，提高了離化效率，因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電靶材利用率相對較高，但由于電子沿磁力線運動主要閉合于靶面，基片區域所受離子轟擊較小.非平衡磁控濺射技術概念，即讓磁控陰極外磁極磁通大于內磁極，兩極磁力線在靶面不完全閉合，部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區域，從而部分電子可以沿著磁力線擴展到基片，增加基片區域的等離子體密度和氣體電離率.不管平衡非平衡，若磁鐵靜止，其磁場特性決定一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率，可采用旋轉磁場但旋轉磁場需要旋轉機構，同時濺射速率要減小，旋轉磁場多用于大型或貴重靶。
