說到ITO真空鍍膜機鍍制ITO薄膜，可能大家不知道是什么東西，如果說手機屏幕上面有一層透視的觸摸屏，大家就會恍然大悟，我們現在日常使用的手機，上面都用一種ITO薄膜材料，即實現了透視的效果，也實現了觸屏的效果。近些年，手機更新換代，使用廣泛，幾乎人手一臺，ITO薄膜可以說消耗量也是巨大的。今天匯成真空小編要為大家講的是ITO真空鍍膜機薄膜制作的影響因素：
ITO真空鍍膜機鍍制ITO薄膜在濺鍍過程中會產生不同的特性，有時候表面光潔度比較低，出現“麻點”的現象，有時候會出現高蝕間隔帶，在蝕刻時還會出現直線放射型缺劃或電阻偏高帶，有時候會出現微晶溝縫。各種特性的產生一般取決于靶材和玻璃的選用，濺鍍時所使用的溫度和運動方式。
當前常用的ITO靶材制作是通過燒結法生產的，就是由氧化銦（In2O3）和氧化錫（SnO2）粉末按照一定的比例進行混合，通常質量比是90%In2O3和10% SnO2，再通過一系列的生產工藝加工成型后，以1400℃～1600℃高溫通氧氣燒結，最終形成的黑灰色陶瓷半導體（氧化銦錫，ITO）。一般通過外觀就可以了解ITO靶材的質量，深灰色是最好的，相反越黑質量越差，我國生產的ITO靶材質量還可以的是黑灰色的。
研究顯示，在
ITO真空鍍膜機鍍制ITO薄膜濺鍍過程中，使用磁控濺射的方式，基底溫度控制在200℃左右可以保證薄膜85%以上高可見光透過率下，電阻率達到最低，而薄膜的結晶度也隨著基底溫度的提高而提高，晶粒尺寸也逐漸增大，超過200℃后透射率趨于減弱；使用電子束蒸鍍的方式，隨著退火溫度升高，晶粒尺寸變大，表面形貌均一穩定，超過600℃后顆粒變得大小不一，形狀各異，小顆粒團聚現象嚴重，薄膜表面形貌破壞。
