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        ITO真空鍍膜機薄膜制作的影響因素

        2020-11-25

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              說到ITO真空鍍膜機鍍制ITO薄膜,可能大家不知道是什么東西,如果說手機屏幕上面有一層透視的觸摸屏,大家就會恍然大悟,我們現在日常使用的手機,上面都用一種ITO薄膜材料,即實現了透視的效果,也實現了觸屏的效果。近些年,手機更新換代,使用廣泛,幾乎人手一臺,ITO薄膜可以說消耗量也是巨大的。今天匯成真空小編要為大家講的是ITO真空鍍膜機薄膜制作的影響因素:

        ITO真空鍍膜機

               ITO真空鍍膜機鍍制ITO薄膜在濺鍍過程中會產生不同的特性,有時候表面光潔度比較低,出現“麻點”的現象,有時候會出現高蝕間隔帶,在蝕刻時還會出現直線放射型缺劃或電阻偏高帶,有時候會出現微晶溝縫。各種特性的產生一般取決于靶材和玻璃的選用,濺鍍時所使用的溫度和運動方式。
               當前常用的ITO靶材制作是通過燒結法生產的,就是由氧化銦(In2O3)和氧化錫(SnO2)粉末按照一定的比例進行混合,通常質量比是90%In2O3和10% SnO2,再通過一系列的生產工藝加工成型后,以1400℃~1600℃高溫通氧氣燒結,最終形成的黑灰色陶瓷半導體(氧化銦錫,ITO)。一般通過外觀就可以了解ITO靶材的質量,深灰色是最好的,相反越黑質量越差,我國生產的ITO靶材質量還可以的是黑灰色的。
               研究顯示,在 ITO真空鍍膜機鍍制ITO薄膜濺鍍過程中,使用磁控濺射的方式,基底溫度控制在200℃左右可以保證薄膜85%以上高可見光透過率下,電阻率達到最低,而薄膜的結晶度也隨著基底溫度的提高而提高,晶粒尺寸也逐漸增大,超過200℃后透射率趨于減弱;使用電子束蒸鍍的方式,隨著退火溫度升高,晶粒尺寸變大,表面形貌均一穩定,超過600℃后顆粒變得大小不一,形狀各異,小顆粒團聚現象嚴重,薄膜表面形貌破壞。
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