真空鍍膜機電真空器件的氣密性檢測基于氦質譜檢漏儀的結構和原理，設計了適用于電真空器件氣密性檢測的檢漏平臺。電真空器件的結構特點及測量精度要求決定了氦罩法和噴吹法是電真空器件氦質譜檢漏技術中最常用方法，氦罩法測定總漏率，總漏率超出允許值后用噴吹法對漏孔準確定位。雙回路復雜結構和復雜串聯漏孔的定位，表明了氦質譜噴吹法在電真空器件檢漏中的影響因素必須遵循的噴吹檢漏原則。同時，溫度、臨時密封材料和設備材料吸附等因素會帶來一定的測量誤差。
真空氣密性是影響微波管性能及壽命的主要因素之一，因此真空檢漏是真空電子器件制作工藝中可靠性保障的重要工序。電真空器件的特點和漏率值要求決定了其氣密性檢測主要采用氦質譜檢漏方法。氦質譜檢測技術以其漏點漏率可量化、靈敏度高、速度快、使用安全、適用范圍廣等特點，在航空、航天、汽車和電真空行業得到了廣泛的應用。
真空鍍膜機撿漏與其他諸多傳統檢漏方法相比，氦質譜檢漏具有不可比擬的技術優越性。氦罩法和噴吹法是電真空器件氦質譜檢漏技術中最常用的兩種方法。氦罩法是對總漏率進行測定，當總漏率超出允許值后用噴吹法進行漏孔的準確定位。目前，鮮有文獻對電真空器件氦質譜檢漏技術進行系統地研究。
