真空鍍膜機用復合涂層離子鍍方法為黃銅電鍍亮鎳的手表殼鍍制TiN十Au+ Si02膜，真空鍍膜機采用電弧、磁控濺射、中頻或射頻濺射離子鍍多功能真空鍍膜機，在真空鍍膜室壁上安裝6個小平面弧源鈦靶鍍TiN，中心安裝柱狀磁控濺射黃金靶鍍金，壁上安裝2個矩形平面磁控濺射Si02 靶或Si靶鍍Si02。采用直流偏壓電源。
(1)工件清洗、上架、入爐。方法同前。
(2)抽真空：本底真空最好達到6.6 x 10-3 Pa，烘烤加熱溫度為150℃左右。
(3)轟擊清洗。方法同前，包括氬轟擊和鈦轟擊兩種方法。
(4)鍍膜
①沉積鈦底層
真空度：通入高純氬氣，真空度保持在5 X 10-2Pa。電弧電流：50～70A，引燃全部弧源，時間為2～3min。偏壓：400～500V。
②沉積TiN膜
真空度：通入高純氮氣，真空度保持在s x l0-1Pa。偏壓：100～200Vo電弧電流：60～80A。沉積時間：10～20min，膜層厚度0.1～0.5μm。
③摻金鍍
真空度：通入高純氮氣，真空度保持在5 x 10-2Pa。偏壓：100～150V。電弧電流：60A(真空鍍膜室上、中、下各點燃1個源)。磁控濺射金靶電壓：400—500V，電流3～5A;時間：1min。
④鍍金
真空度：通入氬氣，真空度保持在3 x 10-1Pa。偏壓：100～150V。濺射靶電壓：400～550V。時間：5-10min。
⑤沉積Si02
真空度：通入高純氬氣，真空度8 x 10-2Pa或5x 10-1Pa。中頻（射頻）電源功率：200～500W。時間：10～20min。
(5)冷卻：首先關閉中頻（或射頻）電源，然后關氣源，停轉架。工件在真空室內冷卻到80-100℃時，向真空室充空氣，取出工件。該工藝也叫摻金鍍或IPG，最后一層Si02是透明的，是保持金膜的，它可以延長金膜的磨損時間，根據客戶的要求可有可無。
真空鍍膜機鍍制TiN十Au+ Si02膜層，和平時鍍一些普通的膜層基礎步驟類似，但是一些關鍵的步驟，卻是截然不同，因此要想要達到所需的效果，必須要謹慎和細心才可以。
