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        真空鍍膜機鍍制TiN十Au+ Si02膜介紹

        2021-01-23

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               真空鍍膜機用復合涂層離子鍍方法為黃銅電鍍亮鎳的手表殼鍍制TiN十Au+ Si02膜,真空鍍膜機采用電弧、磁控濺射、中頻或射頻濺射離子鍍多功能真空鍍膜機,在真空鍍膜室壁上安裝6個小平面弧源鈦靶鍍TiN,中心安裝柱狀磁控濺射黃金靶鍍金,壁上安裝2個矩形平面磁控濺射Si02 靶或Si靶鍍Si02。采用直流偏壓電源。



               (1)工件清洗、上架、入爐。方法同前。
               (2)抽真空:本底真空最好達到6.6 x 10-3 Pa,烘烤加熱溫度為150℃左右。
               (3)轟擊清洗。方法同前,包括氬轟擊和鈦轟擊兩種方法。
               (4)鍍膜
               ①沉積鈦底層
               真空度:通入高純氬氣,真空度保持在5 X 10-2Pa。電弧電流:50~70A,引燃全部弧源,時間為2~3min。偏壓:400~500V。
               ②沉積TiN膜
               真空度:通入高純氮氣,真空度保持在s x l0-1Pa。偏壓:100~200Vo電弧電流:60~80A。沉積時間:10~20min,膜層厚度0.1~0.5μm。
               ③摻金鍍
               真空度:通入高純氮氣,真空度保持在5 x 10-2Pa。偏壓:100~150V。電弧電流:60A(真空鍍膜室上、中、下各點燃1個源)。磁控濺射金靶電壓:400—500V,電流3~5A;時間:1min。
               ④鍍金
               真空度:通入氬氣,真空度保持在3 x 10-1Pa。偏壓:100~150V。濺射靶電壓:400~550V。時間:5-10min。
               ⑤沉積Si02
               真空度:通入高純氬氣,真空度8 x 10-2Pa或5x 10-1Pa。中頻(射頻)電源功率:200~500W。時間:10~20min。
               (5)冷卻:首先關閉中頻(或射頻)電源,然后關氣源,停轉架。工件在真空室內冷卻到80-100℃時,向真空室充空氣,取出工件。該工藝也叫摻金鍍或IPG,最后一層Si02是透明的,是保持金膜的,它可以延長金膜的磨損時間,根據客戶的要求可有可無。
                真空鍍膜機鍍制TiN十Au+ Si02膜層,和平時鍍一些普通的膜層基礎步驟類似,但是一些關鍵的步驟,卻是截然不同,因此要想要達到所需的效果,必須要謹慎和細心才可以。
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